GAP3SLT33-220FP Navitas Semiconductor, Inc. | Diodos individuais

GAP3SLT33-220FP
Número de produto da DigiKey	1913-GAP3SLT33-220FP-ND
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de produto do fabricante	GAP3SLT33-220FP
Descrição	DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 3300 V 300mA Furo passante TO-220FP
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Séries	SiC Schottky MPS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	3300 V
Corrente - Média retificada (Io)	300mA
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.7 V @ 300 mA
Velocidade	Tempo zero de recuperação > 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Fuga reversa para Vr	5 µA @ 3300 V
Capacitância para Vr, F	42pF a 1V, 1MHz
Tipo de montagem	Furo passante
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-2
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220FP
Temperatura de operação - Junção	-55°C a 175°C
Número base de produto	GAP3SLT33

GAP3SLT33-220FP