GA04JT17-247 Navitas Semiconductor, Inc. | FET simples, MOSFETs

GA04JT17-247
Número de produto da DigiKey	1913-GA04JT17-247-ND
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de produto do fabricante	GA04JT17-247
Descrição	TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Referência do cliente
Descrição detalhada	1700 V 4A (Tc) (95°C) 106W (Tc) Furo passante TO-247AB

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	-
Tecnologia	SiC (transistor de junção de carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1700 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4A (Tc) (95°C)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds on (máx.) para Id, Vgs	480mOhm a 4A
Vgs(th) (máx.) para Id	-
Vgs (máx.)	-
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	106W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247AB
Pacote / Invólucro	TO-247-3

GA04JT17-247