Name: G3R160MT17J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R160MT17J-ND
Price: 9.4475 USD
Availability: OutOfStock

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G3R160MT17J
Número de produto da DigiKey	1913-G3R160MT17J-ND
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de produto do fabricante	G3R160MT17J
Descrição	SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1700 V 18A (Tc) 187W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	G3R160MT17J Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Séries	G3R™, LoRing™
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1700 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	224mOhm a 10A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,7V a 5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	29 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	854 pF @ 1000 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	187W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto	G3R160

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