Name: G3F33MT06L-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F33MT06L-TR-ND
Price: 14.73 USD
Availability: InStock

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G3F33MT06L-TR
Número de produto da DigiKey	1913-G3F33MT06L-TR-ND - Fita e carretel (TR) 1913-G3F33MT06L-TRCT-ND - Fita cortada (CT) 1913-G3F33MT06L-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de produto do fabricante	G3F33MT06L-TR
Descrição	650V 27M TO-LL G3F SIC MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 90A (Tc) 333W (Tc) Montagem em superfície TOLL
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiC (transistor de junção de carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	38mOhm a 26A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,3V a 12mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	81 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2394 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	333W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TOLL
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN