Name: G3F25MT06J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F25MT06J-TR-ND
Price: 18.54 USD
Availability: InStock

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G3F25MT06J-TR
Número de produto da DigiKey	1913-G3F25MT06J-TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de produto do fabricante	G3F25MT06J-TR
Descrição	650V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 108A (Tc) 343W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiC (transistor de junção de carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	108A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	27,5mOhm a 35A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,3V a 15mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	108 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2939 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	343W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA