Name: G3F18MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F18MT12J-TR-ND
Price: 30.29 USD
Availability: InStock

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G3F18MT12J-TR
Número de produto da DigiKey	1913-G3F18MT12J-TR-ND - Fita e carretel (TR) 1913-G3F18MT12J-TRCT-ND - Fita cortada (CT) 1913-G3F18MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de produto do fabricante	G3F18MT12J-TR
Descrição	1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 122A (Tc) 526W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 212 nC @ 18 V
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs (máx.) +22V, -10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4962 pF @ 800 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 526W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia SiC (transistor de junção de carboneto de silício)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 122A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263-7
Rds on (máx.) para Id, Vgs 25mOhm a 45A, 18V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Vgs(th) (máx.) para Id 4,3V a 35mA