Name: G2R120MT33J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R120MT33J-ND
Price: 91.94124 USD
Availability: OutOfStock

Canal N 3300 V 35A Montagem em superfície TO-263-7

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

G2R120MT33J
Número de produto da DigiKey	1913-G2R120MT33J-ND
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de produto do fabricante	G2R120MT33J
Descrição	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 3300 V 35A Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	G2R120MT33J Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 156mOhm a 20A, 20V
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 145 nC @ 20 V
Séries G2R™	Vgs (máx.) +25V, -10V
Embalagem Tubo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3706 pF @ 1000 V
Part Status Última compra	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263-7
Tensão dreno-fonte (Vdss) 3300 V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 35A	Número base de produto G2R120
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 20V

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Data da última compra: 31/05/2026

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
250	$ 91,94124	$ 22.985,31

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.

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