Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 11.36 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

MSC080SMA120SDT/R
Número de produto da DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Fabricante	Microchip Technology
Número de produto do fabricante	MSC080SMA120SDT/R
Descrição	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Tempo de espera previsto do fabricante	4 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Microchip Technology
Séries	MSiC™ MA
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	100mOhm a 15A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,8V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	64 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+23V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	838 pF @ 1000 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	182W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA