Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 11.36 USD
Availability: InStock

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MSC080SMA120SDT/R
Número de produto da DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Fabricante	Microchip Technology
Número de produto do fabricante	MSC080SMA120SDT/R
Descrição	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Tempo de espera previsto do fabricante	4 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 100mOhm a 15A, 20V
Fabricante Microchip Technology	Vgs(th) (máx.) para Id 2,8V a 1mA
Séries MSiC™ MA	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 64 nC @ 20 V
Embalagem Granel	Vgs (máx.) +23V, -10V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 838 pF @ 1000 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 182W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 35A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263-7
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 20V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA