


IXTY4N65X2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IXTY4N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXTY4N65X2 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 4A TO252 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 27 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8.3 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 455 pF @ 25 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 80W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 850mOhm a 2A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | 3.376 | IPD80R750P7ATMA1CT-ND | $ 2,03000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 4,11000 | $ 4,11 |
| 70 | $ 1,98843 | $ 139,19 |
| 140 | $ 1,80793 | $ 253,11 |
| 560 | $ 1,52818 | $ 855,78 |
| 1.050 | $ 1,42999 | $ 1.501,49 |
| 2.030 | $ 1,34235 | $ 2.724,97 |
| 5.040 | $ 1,28413 | $ 6.472,02 |

