Canal N 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
TO-252AA

IXTY2N65X2

Número de produto da DigiKey
IXTY2N65X2-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IXTY2N65X2
Descrição
MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante
41 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2,3Ohm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
180 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-252AA
Pacote / Invólucro
Número base de produto
Perguntas e respostas sobre o produto

Veja o que os engenheiros estão perguntando, faça suas próprias perguntas ou ajude um membro da comunidade de engenharia da DigiKey

Em estoque: 4
Estoque de fábrica: 6.860
Verifique se há estoque adicional de entrada
Todos os preços estão em USD
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 3,06000$ 3,06
70$ 1,43614$ 100,53
140$ 1,29836$ 181,77
560$ 1,08464$ 607,40
1.050$ 1,00959$ 1.060,07
2.030$ 0,94260$ 1.913,48
5.040$ 0,86661$ 4.367,71
10.010$ 0,85612$ 8.569,76
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.