Name: IXTY1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-ND
Price: 5.5 USD
Availability: OutOfStock

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AOD2N100

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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Canal N, modo de depleção 1000 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA

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IXTY1R6N100D2
Número de produto da DigiKey	238-IXTY1R6N100D2-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXTY1R6N100D2
Descrição	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N, modo de depleção 1000 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IXTY1R6N100D2 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 27 nC @ 5 V
Fabricante IXYS	Vgs (máx.) ±20V
Séries Depletion	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 645 pF @ 25 V
Embalagem Tubo	Dissipação de potência (máx.) 100W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tipo de FET Canal N, modo de depleção	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1000 V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 1,6A (Tc)	Número base de produto IXTY1
Rds on (máx.) para Id, Vgs 10Ohm a 800mA, 0V

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Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
AOD2N100	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOD2N100-ND	$ 0,64834	Similar

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	$ 5,50000	$ 5,50
70	$ 2,73557	$ 191,49
140	$ 2,50121	$ 350,17
560	$ 2,13834	$ 1.197,47
1.050	$ 2,01101	$ 2.111,56
2.030	$ 1,90063	$ 3.858,28

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.

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