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IXTY1R4N100P | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IXTY1R4N100P-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXTY1R4N100P |
Descrição | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 21 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1000 V 1,4A (Tc) 63W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 50µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 17.8 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 450 pF @ 25 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 63W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1000 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11Ohm a 500mA, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD2N100 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOD2N100-ND | $ 0,64834 | Similar |
| FQD2N100TM | onsemi | 0 | FQD2N100TMCT-ND | $ 0,00000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 350 | $ 1,97783 | $ 692,24 |



