
IXTP4N65X2 | |
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Número de produto da DigiKey | 238-IXTP4N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXTP4N65X2 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 41 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Furo passante TO-220 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 850mOhm a 2A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 455 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 80W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-220 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 3,55000 | $ 3,55 |
| 50 | $ 1,79140 | $ 89,57 |
| 100 | $ 1,62050 | $ 162,05 |
| 500 | $ 1,32102 | $ 660,51 |
| 1.000 | $ 1,22480 | $ 1.224,80 |
| 2.000 | $ 1,15388 | $ 2.307,76 |

