Canal N 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IXTN660N04T4

Número de produto da DigiKey
IXTN660N04T4-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IXTN660N04T4
Descrição
MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Category
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
860 nC @ 10 V
Séries
Vgs (máx.)
±15V
Embalagem
Tubo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
44000 pF @ 25 V
Part Status
Obsoleto
Dissipação de potência (máx.)
1040W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Tensão dreno-fonte (Vdss)
40 V
Invólucro do dispositivo fornecido
SOT-227B
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Pacote / Invólucro
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Número base de produto
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,85mOhm para 100A, 10V
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Obsoleto
Este produto não é mais fabricado.