IXTH64N65X IXYS | Produtos semicondutores discretos

IXTH64N65X está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IXTH64N65X
Número de produto da DigiKey	IXTH64N65X-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXTH64N65X
Descrição	MOSFET N-CH 650V 64A TO247
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 64A (Tc) 890W (Tc) Furo passante TO-247 (IXTH)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	Ultra X
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	64A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	51mOhm a 32A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5500 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	890W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247 (IXTH)
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	IXTH64