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IXTH52N65X | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IXTH52N65X-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXTH52N65X |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 52A TO247 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 52A (Tc) 660W (Tc) Furo passante TO-247 (IXTH) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IXTH52N65X Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 113 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4350 pF @ 25 V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 660W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-247 (IXTH) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 68mOhm a 26A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH48N65X2 | IXYS | 450 | IXTH48N65X2-ND | $ 13,24000 | Recomendado pelo fabricante |
| FCH47N60N | onsemi | 1.816 | 1990-FCH47N60N-ND | $ 14,10000 | Similar |
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | $ 7,88000 | Similar |
| SIHG47N60E-E3 | Vishay Siliconix | 509 | SIHG47N60E-E3-ND | $ 11,18000 | Similar |
| STW56N65DM2 | STMicroelectronics | 913 | 497-16337-5-ND | $ 13,23000 | Similar |






