IXTH26P20P IXYS | Produtos semicondutores discretos

IXTH26P20P
Número de produto da DigiKey	IXTH26P20P-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXTH26P20P
Descrição	MOSFET P-CH 200V 26A TO247
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 200 V 26A (Tc) 300W (Tc) Furo passante TO-247 (IXTH)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	PolarP™
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	170mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2740 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247 (IXTH)
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	IXTH26

IXTH26P20P