IXTH14N100 IXYS | Produtos semicondutores discretos

IXTH14N100
Número de produto da DigiKey	IXTH14N100-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXTH14N100
Descrição	MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1000 V 14A (Tc) 360W (Tc) Furo passante TO-247 (IXTH)

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	MegaMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1000 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	14A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	820mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5650 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	360W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247 (IXTH)
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	IXTH14

IXTH14N100