Canal N, modo de depleção 1000 V 6A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície TO-263AA
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IXTA6N100D2

Número de produto da DigiKey
238-IXTA6N100D2-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IXTA6N100D2
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante
32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N, modo de depleção 1000 V 6A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície TO-263AA
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IXTA6N100D2 Modelos
Atributos de produto
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Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2,2Ohm a 3A, 0V
Vgs(th) (máx.) para Id
-
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2650 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263AA
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 10,44000$ 10,44
50$ 5,81800$ 290,90
100$ 5,37310$ 537,31
500$ 4,86876$ 2.434,38
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.