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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IXTA3N100D2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 238-IXTA3N100D2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXTA3N100D2 |
Descrição | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 32 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N, modo de depleção 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1000 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 5,5Ohm a 1,5A, 0V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | - | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 37.5 nC @ 5 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1020 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 125W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263AA | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 115
Estoque de fábrica: 1.050
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 7,58000 | $ 7,58 |
| 50 | $ 4,09600 | $ 204,80 |
| 100 | $ 3,75970 | $ 375,97 |
| 500 | $ 3,19376 | $ 1.596,88 |
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