Canal N, modo de depleção 1000 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Montagem em superfície TO-263AA
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IXTA1R6N100D2

Número de produto da DigiKey
238-IXTA1R6N100D2-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IXTA1R6N100D2
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante
27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N, modo de depleção 1000 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Montagem em superfície TO-263AA
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Rds on (máx.) para Id, Vgs
10Ohm a 800mA, 0V
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
27 nC @ 5 V
Séries
Vgs (máx.)
±20V
Embalagem
Tubo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
645 pF @ 25 V
Part Status
Ativo
Dissipação de potência (máx.)
100W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1000 V
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Pacote / Invólucro
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Em estoque: 553
Estoque de fábrica: 800
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 5,72000$ 5,72
50$ 2,99020$ 149,51
100$ 2,72620$ 272,62
500$ 2,26392$ 1.131,96
1.000$ 2,11552$ 2.115,52
2.000$ 2,00350$ 4.007,00
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.