Name: IXSG110N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSG110N65L2KTR-ND
Price: 10.89 USD
Availability: OutOfStock

Novo produto

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IXSG110N65L2K
Número de produto da DigiKey	238-IXSG110N65L2KTR-ND - Fita e carretel (TR) 238-IXSG110N65L2KCT-ND - Fita cortada (CT) 238-IXSG110N65L2KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXSG110N65L2K
Descrição	650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) Montagem em superfície TOLL
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	111A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	33mOhm a 40A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 12mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	125 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3090 pF @ 600 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	600W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TOLL
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN