Name: IXSA65N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSA65N120L2-7TR-ND
Price: 9.8 USD
Availability: OutOfStock

Novo produto

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IXSA65N120L2-7TR
Número de produto da DigiKey	238-IXSA65N120L2-7TR-ND - Fita e carretel (TR) 238-IXSA65N120L2-7TRCT-ND - Fita cortada (CT) 238-IXSA65N120L2-7TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXSA65N120L2-7TR
Descrição	1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 65A (Tc) 417W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	65A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	53mOhm a 20A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 9mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	110 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2160 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	417W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA