Name: IXSA110N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSA110N65L2-7TR-ND
Price: 13.1 USD
Availability: InStock

Novo produto

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IXSA110N65L2-7TR
Número de produto da DigiKey	238-IXSA110N65L2-7TR-ND - Fita e carretel (TR) 238-IXSA110N65L2-7TRCT-ND - Fita cortada (CT) 238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXSA110N65L2-7TR
Descrição	650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 12mA
Fabricante IXYS	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 125 nC @ 18 V
Part Status Ativo	Vgs (máx.) +20V, -5V
Tipo de FET Canal N	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3090 pF @ 600 V
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Dissipação de potência (máx.) 600W (Tc)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 111A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263-7
Rds on (máx.) para Id, Vgs 33mOhm a 40A, 18V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
800	$ 5,92250	$ 4.738,00

Embalagem padrão do fabricante

238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND

IXSA110N65L2-7TR