


IXFY8N65X2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IXFY8N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXFY8N65X2 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 11 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 790 pF @ 25 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 150W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 450mOhm a 4A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 18.938 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | $ 1,16000 | Similar |
| IPD80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | 4.126 | IPD80R600P7ATMA1CT-ND | $ 2,30000 | Similar |
| SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 11.376 | SPD08N50C3ATMA1CT-ND | $ 2,67000 | Similar |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 4.106 | 497-13352-1-ND | $ 4,40000 | Similar |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | 504 | 497-10878-1-ND | $ 3,49000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 4,29000 | $ 4,29 |
| 70 | $ 2,09500 | $ 146,65 |
| 140 | $ 1,90879 | $ 267,23 |
| 560 | $ 1,62041 | $ 907,43 |
| 1.050 | $ 1,51918 | $ 1.595,14 |
| 2.030 | $ 1,48888 | $ 3.022,43 |

