IXFY5N50P3 IXYS | Produtos semicondutores discretos

IXFY5N50P3 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Preço unitário : $ 2,51000

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IXFY5N50P3
Número de produto da DigiKey	IXFY5N50P3-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXFY5N50P3
Descrição	MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 500 V 5A (Tc) 114W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	HiPerFET™, Polar3™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,65Ohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	370 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	114W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IXFY5N50