Canal N 850 V 65A (Tc) 830W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IXFN66N85X

Número de produto da DigiKey
238-IXFN66N85X-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IXFN66N85X
Descrição
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Tempo de espera previsto do fabricante
27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 850 V 65A (Tc) 830W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
5,5V a 8mA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
230 nC @ 10 V
Séries
Vgs (máx.)
±30V
Embalagem
Tubo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
8900 pF @ 25 V
Part Status
Ativo
Dissipação de potência (máx.)
830W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Tensão dreno-fonte (Vdss)
850 V
Invólucro do dispositivo fornecido
SOT-227B
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Pacote / Invólucro
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Número base de produto
Rds on (máx.) para Id, Vgs
65mOhm a 33A, 10V
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 47,16000$ 47,16
10$ 35,39500$ 353,95
100$ 30,52250$ 3.052,25
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.