
IXFN66N85X | |
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Número de produto da DigiKey | 238-IXFN66N85X-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXFN66N85X |
Descrição | MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B |
Tempo de espera previsto do fabricante | 27 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 850 V 65A (Tc) 830W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5,5V a 8mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 230 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 8900 pF @ 25 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 830W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em chassis |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 850 V | Invólucro do dispositivo fornecido SOT-227B |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 65mOhm a 33A, 10V |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 47,16000 | $ 47,16 |
| 10 | $ 35,39500 | $ 353,95 |
| 100 | $ 30,52250 | $ 3.052,25 |


