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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IXFN62N80Q3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IXFN62N80Q3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXFN62N80Q3 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B |
Tempo de espera previsto do fabricante | 27 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 49A (Tc) 960W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 140mOhm a 31A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 6,5V a 8mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 270 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 13600 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 960W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-227B | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 8
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 58,71000 | $ 58,71 |
| 10 | $ 44,81600 | $ 448,16 |
| 100 | $ 43,42640 | $ 4.342,64 |
Para uso com
1 Itens
Brasil