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IXFH18N65X2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 238-IXFH18N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXFH18N65X2 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 18A TO247 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 32 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Furo passante TO-247 (IXTH) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 1,5mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 29 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1520 pF @ 25 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 290W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-247 (IXTH) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 200mOhm a 9A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | $ 7,47000 | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | $ 10,65000 | Similar |
| STW26NM60N | STMicroelectronics | 323 | 497-9066-5-ND | $ 8,35000 | Similar |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | $ 4,31000 | Similar |
| TK16N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 20 | TK16N60WS1VF-ND | $ 6,43000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 300 | $ 4,64080 | $ 1.392,24 |






