Name: IXFH18N100Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFH18N100Q3-ND
Price: 17.89 USD
Availability: InStock

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IXFH18N100Q3
Número de produto da DigiKey	IXFH18N100Q3-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXFH18N100Q3
Descrição	MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Tempo de espera previsto do fabricante	46 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Furo passante TO-247AD (IXFH)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	HiPerFET™, Q3 Class
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1000 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	660mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	6,5V a 4mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4890 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	830W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247AD (IXFH)
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	IXFH18

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1	$ 17,89000	$ 17,89
30	$ 12,06000	$ 361,80

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