FII30-12E IXYS | Matrizes de IGBT

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FII30-12E
Número de produto da DigiKey	FII30-12E-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	FII30-12E
Descrição	IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata IGBT NPT Meia ponte 1200 V 33 A 150 W Furo passante ISOPLUS i4-PAC™
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores IGBTs Matrizes de IGBT	Corrente - Corte do coletor (máx.) 200 µA
Fabricante IXYS	Capacitância de entrada (Cies) para Vce 1.2 nF @ 25 V
Embalagem Tubo	Entrada Padrão
Part Status Obsoleto	Termistor NTC Não
Tipo de IGBT NPT	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Configuração Meia ponte	Tipo de montagem Furo passante
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 1200 V	Pacote / Invólucro i4-Pac™-5
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 33 A	Invólucro do dispositivo fornecido ISOPLUS i4-PAC™
Potência - Máx. 150 W	Número base de produto FII30
Vce(on) (máx.) para Vge, Ic 2,9V a 15V, 20A

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