SPP11N60S5XKSA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

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SPP11N60S5XKSA1
Número de produto da DigiKey	448-SPP11N60S5XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	SPP11N60S5XKSA1
Descrição	LOW POWER_LEGACY
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Furo passante PG-TO220-3-1
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5,5V a 500µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 54 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Tubo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1460 pF @ 25 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Furo passante
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO220-3-1
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-220-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto SPP11N60
Rds on (máx.) para Id, Vgs 380mOhm a 7A, 10V

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Substitutos (4)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
IPP60R360P7XKSA1	Infineon Technologies	1.296	448-IPP60R360P7XKSA1-ND	$ 2,61000	Recomendado pelo fabricante
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SPP11N60S5XKSA1