Canal N 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SPB11N60C3ATMA1

Número de produto da DigiKey
SPB11N60C3ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
SPB11N60C3ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
SPB11N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Infineon Technologies
Número de produto do fabricante
SPB11N60C3ATMA1
Descrição
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SPB11N60C3ATMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Infineon Technologies
Séries
CoolMOS™
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Não para novos designs
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
380mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,9V a 500µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1200 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO263-3-2
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
SPB11N60
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 4,18000$ 4,18
10$ 2,75100$ 27,51
100$ 1,93920$ 193,92
500$ 1,76012$ 880,06
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
1.000$ 1,43800$ 1.438,00
Embalagem padrão do fabricante