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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SI4435DYPBF | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI4435DYPBF-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4435DYPBF |
Descrição | MOSFET P-CH 30V 8A 8SO |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 30 V 8A (Tc) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SO |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI4435DYPBF Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Descontinuado na DigiKey | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 20mOhm a 8A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2320 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2,5W (Ta) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SO | |
Pacote / Invólucro |
0 em estoque
Brasil