


ISG0616N10NM5HSCATMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | ISG0616N10NM5HSCATMA1 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN |
Tempo de espera previsto do fabricante | 48 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-WHITFN-10-1 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 4mOhm a 50A, 10V |
Fabricante Infineon Technologies | Vgs(th) (máx.) para Id 3,8V a 85µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 78nC a 10V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4800pF a 50V |
Part Status Ativo | Potência - Máx. 3W (Ta), 167W (Tc) |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Configuração 2 canais N (meia ponte) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100V | Pacote / Invólucro 10-PowerWDFN |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 19A (Ta), 139A (Tc) | Invólucro do dispositivo fornecido PG-WHITFN-10-1 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 7,00000 | $ 7,00 |
| 10 | $ 4,67700 | $ 46,77 |
| 100 | $ 3,35770 | $ 335,77 |
| 500 | $ 2,79522 | $ 1.397,61 |
| 1.000 | $ 2,65650 | $ 2.656,50 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 2,38569 | $ 7.157,07 |










