Name: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 5.27 USD
Availability: InStock

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ISG0614N06NM5HSCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISG0614N06NM5HSCATMA1
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-WHITFN-10-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ISG0614N06NM5HSCATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	31A (Ta), 233A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,6mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,3V a 86µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	102nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6400pF a 30V
Potência - Máx.	3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	10-PowerWDFN
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-WHITFN-10-1