Cascata MOSFET 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-WHITFN-10-1
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Cascata MOSFET 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0613N04NM6HSCATMA1

Número de produto da DigiKey
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Infineon Technologies
Número de produto do fabricante
ISG0613N04NM6HSCATMA1
Descrição
MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Tempo de espera previsto do fabricante
48 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície PG-WHITFN-10-1
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Infineon Technologies
Séries
OptiMOS™ 6
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
42A (Ta), 299A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,88mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,8V a 780µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
104nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
6200pF a 20V
Potência - Máx.
3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
10-PowerWDFN
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-WHITFN-10-1
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Quantidade
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 4,98000$ 4,98
10$ 3,29700$ 32,97
100$ 2,34050$ 234,05
500$ 2,06182$ 1.030,91
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 1,68450$ 5.053,50
Embalagem padrão do fabricante
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