Name: ISCH99N04NM7VATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISCH99N04NM7VATMA1TR-ND
Price: 2.49 USD
Availability: InStock

Novo produto

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

ISCH99N04NM7VATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISCH99N04NM7VATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISCH99N04NM7VATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISCH99N04NM7VATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISCH99N04NM7VATMA1
Descrição	ISCH99N04NM7VATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 40A (Ta), 284A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	40A (Ta), 284A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,9mOhm a 50A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,15V a 66µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4400 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8