Name: ISC031N08NM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC031N08NM6SCATMA1TR-ND
Price: 3.56 USD
Availability: OutOfStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

ISC031N08NM6SCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISC031N08NM6SCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISC031N08NM6SCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISC031N08NM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISC031N08NM6SCATMA1
Descrição	TRENCH 40<-<100V
Tempo de espera previsto do fabricante	52 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 21A (Ta), 145A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Montagem em superfície PG-WSON-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 6
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	21A (Ta), 145A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,1mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 65µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3100 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-WSON-8-2
Pacote / Invólucro	PowerWDFN-8