BSC079N10NSGATMA1 Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

BSC079N10NSGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC079N10NSGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC079N10NSGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC079N10NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC079N10NSGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 13,4A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC079N10NSGATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13,4A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	7,9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 110µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5900 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	156W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-1
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSC079

BSC079N10NSGATMA1