IRFS7730PBF Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IRFS7730PBF
Número de produto da DigiKey	IRFS7730PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRFS7730PBF
Descrição	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®, StrongIRFET™
Embalagem	Tubo
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	75 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	195A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,6mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,7V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	407 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	13660 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263AB (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB

IRFS7730PBF