IRFHM8326TRPBFXTMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IRFHM8326TRPBFXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IRFHM8326TRPBFXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IRFHM8326TRPBFXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IRFHM8326TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRFHM8326TRPBFXTMA1
Descrição	TRENCH <= 40V
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 19A (Ta), 25A (Tc) 2,8W (Ta), 37W (Tc) Montagem em superfície 8-PQFN (3,1x3,1)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	19A (Ta), 25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 50µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2496 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,8W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-PQFN (3,1x3,1)
Pacote / Invólucro	8-WDFN pad exposto

IRFHM8326TRPBFXTMA1