IRFB812PBF Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

IRFB812PBF
Número de produto da DigiKey	IRFB812PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRFB812PBF
Descrição	MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 500 V 3,6A (Tc) 78W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,2Ohm a 2,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	810 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	78W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220AB
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IRFB812

IRFB812PBF