IRF7842PBF Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IRF7842PBF
Número de produto da DigiKey	IRF7842PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF7842PBF
Descrição	MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 18A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Tubo
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,25V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	50 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4500 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SO
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)

IRF7842PBF