Name: IRF7779L2TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7779L2TRPBFTR-ND
Price: 6.87 USD
Availability: InStock

IRF7779L2TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRF7779L2TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRF7779L2TRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRF7779L2TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF7779L2TRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 67A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície L8 isométrico DirectFET™
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRF7779L2TRPBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	150 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	67A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6660 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	L8 isométrico DirectFET™
Pacote / Invólucro	L8 isométrico DirectFET™
Número base de produto	IRF7779

IRF7779L2TRPBF