Name: IQFH39N04NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH39N04NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.63 USD
Availability: InStock

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IQFH39N04NM6ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQFH39N04NM6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQFH39N04NM6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQFH39N04NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQFH39N04NM6ATMA1
Descrição	TRENCH <= 40V
Tempo de espera previsto do fabricante	15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 63A (Ta), 600A (Tc) 3W (Ta), 273W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-12-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQFH39N04NM6ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 6
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	63A (Ta), 600A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,39mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,8V a 1,05mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	273 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	16400 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 273W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSON-12-1
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-12