Name: IQE046N08LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5CGATMA1TR-ND
Price: 4.28 USD
Availability: InStock

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IQE046N08LM5CGATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE046N08LM5CGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE046N08LM5CGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQE046N08LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE046N08LM5CGATMA1
Descrição	TRENCH 40<-<100V
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montagem em superfície PG-TTFN-9-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE046N08LM5CGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 47µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 38 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3250 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TTFN-9-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 15,6A (Ta), 99A (Tc)	Pacote / Invólucro 9-PowerTDFN
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto IQE046
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,6mOhm a 20A, 10V