Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 4 USD
Availability: OutOfStock

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IQE006NE2LM5CGATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE006NE2LM5CGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta) 89W (Tc) Montagem em superfície PG-TTFN-9-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 82.1 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±16V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5453 pF @ 12 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,1W (Ta) 89W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 25 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TTFN-9-1
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 41A (Ta), 298A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,65mOhm a 20A, 10V	Número base de produto IQE006