Name: IQE006NE2LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5ATMA1TR-ND
Price: 2.73 USD
Availability: InStock

IQE006NE2LM5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE006NE2LM5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE006NE2LM5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQE006NE2LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE006NE2LM5ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Tempo de espera previsto do fabricante	29 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta) 89W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-8-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE006NE2LM5ATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	25 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	41A (Ta), 298A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,65mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	82.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5453 pF @ 12 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta) 89W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSON-8-4
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	IQE006

IQE006NE2LM5ATMA1