Name: IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.66 USD
Availability: InStock

Canal N 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta) 89W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9

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IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Descrição	TRENCH <= 40V
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta) 89W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,45mOhm para 30A, 7V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 432µA
Séries OptiMOS™ 7	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 55 nC @ 7 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±7V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6240 pF @ 7.5 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2,1W (Ta) 89W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 15 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 58A (Ta), 379A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-WHTFN-9
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 7V	Pacote / Invólucro 9-PowerWDFN